Fotodiodo Vishay, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 950 nm, Superficie, encapsulado GW de 2 pines
- Código RS:
- 165-3014
- Referência do fabricante:
- VBP104FAS
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
414,00 €
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 0,414 € | 414,00 € |
| 2000 + | 0,406 € | 406,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 165-3014
- Referência do fabricante:
- VBP104FAS
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Espectros detectados | Infrarrojo | |
| Tipo de producto | Fotodiodo | |
| Longitud de onda de sensibilidad máxima | 950nm | |
| Encapsulado | GW | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Embalaje y empaquetado | Cinta y carrete | |
| Número de pines | 2 | |
| Mínima longitud de onda detectada | 780nm | |
| Máxima longitud de onda detectada | 1050nm | |
| Tiempo de caída típico | 80ns | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Amplificado | No | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 100°C | |
| Altura | 1.2mm | |
| Longitud | 4.4mm | |
| Anchura | 3.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Ángulo de media sensibilidad | 65 ° | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Tiempo de subida típico | 80ns | |
| Tensión de ruptura | 60V | |
| Polaridad | Adelante | |
| Corriente de cortocircuito | 50μA | |
| Corriente residual | 2nA | |
| Tensión de circuito abierto | 350mV | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Espectros detectados Infrarrojo | ||
Tipo de producto Fotodiodo | ||
Longitud de onda de sensibilidad máxima 950nm | ||
Encapsulado GW | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Embalaje y empaquetado Cinta y carrete | ||
Número de pines 2 | ||
Mínima longitud de onda detectada 780nm | ||
Máxima longitud de onda detectada 1050nm | ||
Tiempo de caída típico 80ns | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Amplificado No | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 100°C | ||
Altura 1.2mm | ||
Longitud 4.4mm | ||
Anchura 3.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Ángulo de media sensibilidad 65 ° | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Tiempo de subida típico 80ns | ||
Tensión de ruptura 60V | ||
Polaridad Adelante | ||
Corriente de cortocircuito 50μA | ||
Corriente residual 2nA | ||
Tensión de circuito abierto 350mV | ||
Fotodiodos PIN de la serie VBP104
Fotodiodos de infrarrojos, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- Fotodiodo VBP104FAS Vishay, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 950 nm, Superficie, encapsulado GW de 2 pines
- Fotodiodo Vishay, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 950 nm, Superficie, encapsulado GW de 2 pines
- Fotodiodo VBPW34FAS Vishay, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 950 nm, Superficie, encapsulado GW de 2 pines
- Fotodiodo Vishay, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 950 nm, Superficie, encapsulado 0805 de 2 pines
- Fotodiodo Vishay, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 950 nm, Superficie, encapsulado QFN de 4 pines
- Fotodiodo TEMD7100X01 Vishay, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 950 nm, Superficie, encapsulado 0805 de 2 pines
- Fotodiodo VEMD5080X01 Vishay, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 950 nm, Superficie, encapsulado QFN de 4 pines
- Fotodiodo PIN de silicio BP104S Vishay BP104, Infrarrojo ±65 °, λ sensibilidad máx. 950 nm, Orificio pasante,