MOSFET Infineon IRFZ24NPBF, VDSS 55 V, ID 17 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 919-4851
Referência do fabricante:: IRFZ24NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFZ24NPBF, VDSS 55 V, ID 17 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

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Preço unitário (Em Tubo de 50)**

0,396 €

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250 - 450	0,285 €	14,25 €
500 - 1200	0,265 €	13,25 €
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Código RS:: 919-4851
Referência do fabricante:: IRFZ24NPBF
Fabricante:: Infineon

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MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 17 A, disipación de potencia máxima de 45 W - IRFZ24NPBF

Este MOSFET está diseñado para ofrecer un rendimiento excepcional en una amplia gama de aplicaciones electrónicas. Es un componente clave de los sistemas de automatización y control, que mejora tanto la eficacia como la fiabilidad. Sus capacidades son cruciales para optimizar el funcionamiento de los sistemas en las industrias eléctrica y mecánica.

Características y ventajas

• Alta capacidad de manejo de corriente de hasta 17 A para aplicaciones exigentes
• Tensión máxima de funcionamiento de 55 V para diversos usos
• RDS(on) bajo para minimizar la pérdida de potencia durante el funcionamiento
• Alta tolerancia térmica hasta +175°C para una fiabilidad constante
• Montaje con orificios pasantes para una instalación y un mantenimiento sencillos
• Utiliza el modo de mejora para mejorar el control en los circuitos

Aplicaciones

• Se emplea en sistemas de gestión de la energía para mejorar la eficiencia
• Adecuado para el control de motores que requieren una corriente elevada
• Utilizado en electrónica de automoción para un rendimiento robusto
• Ideal para sistemas HVAC en los que la fiabilidad es esencial
• Aplicado en sistemas de energía renovable para mejorar la durabilidad

¿Qué rango de temperatura de funcionamiento es adecuado para un rendimiento óptimo?

El producto funciona eficazmente desde -55°C hasta +175°C, lo que garantiza su durabilidad en diversas condiciones.

¿Cómo puedo integrar esto en el diseño de mi circuito actual?

Presenta un tipo de encapsulado TO-220AB, lo que simplifica la integración en sistemas existentes utilizando diseños de PCB estándar.

¿Qué precauciones deben tomarse durante la instalación?

Asegúrate de que la zona de montaje esté limpia y utiliza una gestión térmica adecuada para maximizar el rendimiento y minimizar los problemas relacionados con el calor.

¿Puede soportar altas corrientes continuas?

Este producto admite una corriente de drenaje continua de hasta 17 A, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta demanda.

¿Qué parámetros debo controlar para un funcionamiento óptimo?

Supervisa la tensión de drenaje-fuente para asegurarte de que se mantiene dentro de los límites de seguridad, concretamente por debajo de 55V.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	70 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	45 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	20 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	8.77mm