JFET

"JFET Un JFET es un dispositivo de cuatro terminales. Los terminales se denominan puerta, drenador, fuente y cuerpo. El terminal del cuerpo está siempre conectado a la fuente. Hay dos tipos de JFET: un canal N y un canal P.¿Qué significa JFET? JFET significa transistor de efecto de campo de uniónConstrucción de JFET de canal NEl nombre Canal N significa que los electrones son la mayoría portadores de carga. Para formar el Canal N se utiliza un semiconductor de tipo N como base y se dopa con un semiconductor tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones P están eléctricamente conectadas juntas con un contacto óhmico en la puerta. Se extraen dos terminales adicionales en los extremos opuestos para el drenador y la fuente.Construcción de JFET de canal PEl nombre Canal P significa que los orificios son la mayoría portadores de carga. Para formar el Canal P se utiliza un semiconductor de tipo P como base y se dopa con un semiconductor tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones N están eléctricamente conectadas juntas con un contacto óhmico en la puerta. Se extraen dos terminales adicionales en los extremos opuestos para el drenador y la fuente.Características y ventajas Alta impedancia de entrada Dispositivo controlado por tensión Alto grado de aislamiento entre la entrada y la salida Menos ruido¿Cómo se conocen también? JUGFET¿Para qué se utilizan los transistores JFET? Los transistores JFET tienen muchas aplicaciones en electrónica y comunicación. Se pueden utilizar como un interruptor controlado electrónicamente para controlar la energía eléctrica para una carga y como amplificadores.¿Cuál es la diferencia entre un JFET y BJT (transistor de unión bipolar)? La diferencia principal entre un JFET y un BJT es que un transistor de efecto de campo de carga (JFET) ofrece solo flujos de portadores de carga mayoritarios, mientras que el transistor bipolar (BJT) ofrece flujos de portadores de carga mayoritarios y minoritarios.¿Qué es el dopaje de semiconductores? El dopaje es el proceso de incluir impurezas extrañas en semiconductores intrínsecos para cambiar sus propiedades eléctricas. Los átomos trivalentes empleados para dopar el silicio provocan que un semiconductor intrínseco se convierta en un semiconductor de tipo P. Los átomos pentavalentes empleados para dopar el silicio provocan que un semiconductor intrínseco se convierta en un semiconductor de tipo N."

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Descrição Preço Tipo de Canal Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss Tensión Máxima Drenador-Fuente Tensión Máxima Puerta-Fuente Tensión Máxima Puerta-Drenador Configuración Configuración de transistor Resistencia Máxima Drenador-Fuente Tipo de Montaje Tipo de Encapsulado Conteo de Pines Capacidad Drenador-Fuente Capacidad Fuente-Puerta Dimensiones
Código RS 163-2025
Referência do fabricante2SK932-24-TB-E
FabricanteON Semiconductor
0,102 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N 14.5 → 24mA 15 V - -15V Único Simple - Montaje superficial CP 3 10pF 3pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 749-8265
Referência do fabricanteDSK5J01P0L
FabricantePanasonic
0,044 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 20)
unidades
N 1 → 3mA - - -55V Único Simple - Montaje superficial SMini3 F2 B 3 - - 2 x 1.25 x 0.8mm
Código RS 626-2355
Referência do fabricanteBF556A,215
FabricanteNXP
0,27 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
unidades
N 3 → 7mA 30 V -30 V -30V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 626-3229
Referência do fabricantePMBF4391,215
FabricanteNXP
0,282 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
unidades
N 50 → 150mA 40 V -40 V 40V Único Simple 30 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 166-0548
Referência do fabricantePMBFJ308,215
FabricanteNXP
0,079 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N 12 → 60mA 25 V -25 V -25V Único Simple 50 Ω Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 626-3308
Referência do fabricantePMBFJ308,215
FabricanteNXP
0,094 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
unidades
N 12 → 60mA 25 V -25 V -25V Único Simple 50 Ω Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 806-1753
Referência do fabricanteJ111
FabricanteON Semiconductor
0,221 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 50)
unidades
N min. 20mA - -35 V 35V Único Simple 30 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 28pF 28pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Código RS 163-2024
Referência do fabricante2SK932-23-TB-E
FabricanteON Semiconductor
0,101 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N 10 → 17mA 15 V - -15V Único Simple - Montaje superficial CP 3 10pF 3pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 166-3080
Referência do fabricanteMMBF4092
FabricanteON Semiconductor
0,135 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N min. 15mA 0,2 V -40 V 40V Único Simple 50 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 626-3314
Referência do fabricantePMBFJ309,215
FabricanteNXP
0,303 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
unidades
N 12 → 30mA 25 V -25 V -25V Único Simple 50 Ω Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 806-4263
Referência do fabricanteMMBF4119
FabricanteON Semiconductor
0,266 €
unitário (Fornecido em Tiras de 50)
unidades
N 0.2 → 0.6mA 10 V -40 V 40V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 800-9364
Referência do fabricante2SK3666-2-TB-E
FabricanteON Semiconductor
0,094 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 100)
unidades
N 0.6 → 1.5mA 30 V - -30V Único Simple 200 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 166-3077
Referência do fabricanteMMBF4093
FabricanteON Semiconductor
0,066 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N min. 8mA 0,2 V -40 V 40V Único Simple 80 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 145-5192
Referência do fabricante2SK3666-2-TB-E
FabricanteON Semiconductor
0,064 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N 0.6 → 1.5mA 30 V - -30V Único Simple 200 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.9 x 1.5 x 1.1mm