JFET

"JFET Un JFET es un dispositivo de cuatro terminales. Los terminales se denominan puerta, drenador, fuente y cuerpo. El terminal del cuerpo está siempre conectado a la fuente. Hay dos tipos de JFET: un canal N y un canal P.¿Qué significa JFET? JFET significa transistor de efecto de campo de uniónConstrucción de JFET de canal NEl nombre Canal N significa que los electrones son la mayoría portadores de carga. Para formar el Canal N se utiliza un semiconductor de tipo N como base y se dopa con un semiconductor tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones P están eléctricamente conectadas juntas con un contacto óhmico en la puerta. Se extraen dos terminales adicionales en los extremos opuestos para el drenador y la fuente.Construcción de JFET de canal PEl nombre Canal P significa que los orificios son la mayoría portadores de carga. Para formar el Canal P se utiliza un semiconductor de tipo P como base y se dopa con un semiconductor tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones N están eléctricamente conectadas juntas con un contacto óhmico en la puerta. Se extraen dos terminales adicionales en los extremos opuestos para el drenador y la fuente.Características y ventajas Alta impedancia de entrada Dispositivo controlado por tensión Alto grado de aislamiento entre la entrada y la salida Menos ruido¿Cómo se conocen también? JUGFET¿Para qué se utilizan los transistores JFET? Los transistores JFET tienen muchas aplicaciones en electrónica y comunicación. Se pueden utilizar como un interruptor controlado electrónicamente para controlar la energía eléctrica para una carga y como amplificadores.¿Cuál es la diferencia entre un JFET y BJT (transistor de unión bipolar)? La diferencia principal entre un JFET y un BJT es que un transistor de efecto de campo de carga (JFET) ofrece solo flujos de portadores de carga mayoritarios, mientras que el transistor bipolar (BJT) ofrece flujos de portadores de carga mayoritarios y minoritarios.¿Qué es el dopaje de semiconductores? El dopaje es el proceso de incluir impurezas extrañas en semiconductores intrínsecos para cambiar sus propiedades eléctricas. Los átomos trivalentes empleados para dopar el silicio provocan que un semiconductor intrínseco se convierta en un semiconductor de tipo P. Los átomos pentavalentes empleados para dopar el silicio provocan que un semiconductor intrínseco se convierta en un semiconductor de tipo N."

...
Read more Read less

Filtros

A ver 41 - 60 de 91 produtos
Resultados por página
Descrição Preço Tipo de Canal Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss Tensión Máxima Drenador-Fuente Tensión Máxima Puerta-Fuente Tensión Máxima Puerta-Drenador Configuración Configuración de transistor Resistencia Máxima Drenador-Fuente Tipo de Montaje Tipo de Encapsulado Conteo de Pines Capacidad Drenador-Fuente Capacidad Fuente-Puerta Dimensiones
Código RS 807-5201
Referência do fabricanteBSR58
FabricanteON Semiconductor
0,109 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 100)
unidades
N 8 → 80mA 0,4 V -40 V 40V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 0.97mm
Código RS 773-7819
Referência do fabricanteMMBFJ309LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,267 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
unidades
N 12 → 30mA 25 V - - Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - 5pF 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 166-0537
Referência do fabricanteBF556A,215
FabricanteNXP
0,225 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N 3 → 7mA 30 V -30 V -30V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 773-7816
Referência do fabricanteMMBFJ177LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,267 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
unidades
P 1.5 → 20mA - - 25V dc Único Simple 300 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - 11pF 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 806-1753
Referência do fabricanteJ111
FabricanteON Semiconductor
0,225 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 50)
unidades
N min. 20mA - -35 V 35V Único Simple 30 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 28pF 28pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Código RS 792-5177
Referência do fabricante2SK932-24-TB-E
FabricanteON Semiconductor
0,108 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 25)
unidades
N 14.5 → 24mA 15 V - -15V Único Simple - Montaje superficial CP 3 10pF 3pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 864-7846
Referência do fabricanteMMBF4393LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,244 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 50)
unidades
N 5 → 30mA 30 V +30 V 30V Único Simple 100 Ω Montaje superficial SOT-23 3 14 pF @ 0 V 14 pF @ -15 V 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 163-0319
Referência do fabricanteTF412ST5G
FabricanteON Semiconductor
0,072 €
unitário (Fornecido em carretes de 8000)
unidades
N 1.2 → 3mA 30 V - -30V Único Simple - Montaje superficial SOT-883 3 4pF 4pF 1.08 x 0.68 x 0.41mm
Código RS 103-8162
Referência do fabricantePMBFJ177,215
FabricanteNXP
0,112 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
P 1.5 → 20mA 30 V +30 V 30V Único Simple 300 Ω Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 166-3094
Referência do fabricanteMMBFJ176
FabricanteON Semiconductor
0,104 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
P -2 → -25mA 15 V +30 V -30V Único Simple 250 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 169-7867
Referência do fabricanteDSK5J01P0L
FabricantePanasonic
0,043 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N 1 → 3mA - - -55V Único Simple - Montaje superficial SMini3 F2 B 3 - - 2 x 1.25 x 0.8mm
Código RS 163-0037
Referência do fabricanteMMBFJ175LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,096 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
P -7 → -60mA 15 V - -25V Único Simple 125 Ω Montaje superficial SOT-23 3 11 pF @ 0 V 11 pF @ -10 V 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 792-5173
Referência do fabricante2SK932-23-TB-E
FabricanteON Semiconductor
0,295 €
unitário (Fornecido em Tiras de 25)
unidades
N 10 → 17mA 15 V - -15V Único Simple - Montaje superficial CP 3 10pF 3pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 626-2412
Referência do fabricanteBF861C,215
FabricanteNXP
0,607 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
unidades
N 12 → 25mA 25 V +25 V 25V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 625-5723
Referência do fabricanteMMBF4391LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,358 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
unidades
N 50 → 150mA 30 V +30 V 30V Único Simple 30 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 0.94mm
Código RS 738-7607
Referência do fabricante2N4392CSM
FabricanteSemelab
65,91 €
unitário
unidades
N 25 → 75mA 40 V +40 V 40V Único Simple 60 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 3.05 x 2.54 x 1.02mm
Código RS 177-5508
Referência do fabricante2N4392CSM
FabricanteSemelab
59,922 €
unitário (Em tabuleiro de 100)
unidades
N 25 → 75mA 40 V +40 V 40V Único Simple 60 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 3.05 x 2.54 x 1.02mm
Código RS 166-2319
Referência do fabricanteBSR58
FabricanteON Semiconductor
0,063 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N 8 → 80mA 0,4 V -40 V 40V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 0.97mm
Código RS 166-3077
Referência do fabricanteMMBF4093
FabricanteON Semiconductor
0,066 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N min. 8mA 0,2 V -40 V 40V Único Simple 80 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 166-2910
Referência do fabricanteJ111
FabricanteON Semiconductor
0,063 €
unitário (Em bolsa de 10000)
unidades
N min. 20mA - -35 V 35V Único Simple 30 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 28pF 28pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm