JFET

"JFET Un JFET es un dispositivo de cuatro terminales. Los terminales se denominan puerta, drenador, fuente y cuerpo. El terminal del cuerpo está siempre conectado a la fuente. Hay dos tipos de JFET: un canal N y un canal P.¿Qué significa JFET? JFET significa transistor de efecto de campo de uniónConstrucción de JFET de canal NEl nombre Canal N significa que los electrones son la mayoría portadores de carga. Para formar el Canal N se utiliza un semiconductor de tipo N como base y se dopa con un semiconductor tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones P están eléctricamente conectadas juntas con un contacto óhmico en la puerta. Se extraen dos terminales adicionales en los extremos opuestos para el drenador y la fuente.Construcción de JFET de canal PEl nombre Canal P significa que los orificios son la mayoría portadores de carga. Para formar el Canal P se utiliza un semiconductor de tipo P como base y se dopa con un semiconductor tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones N están eléctricamente conectadas juntas con un contacto óhmico en la puerta. Se extraen dos terminales adicionales en los extremos opuestos para el drenador y la fuente.Características y ventajas Alta impedancia de entrada Dispositivo controlado por tensión Alto grado de aislamiento entre la entrada y la salida Menos ruido¿Cómo se conocen también? JUGFET¿Para qué se utilizan los transistores JFET? Los transistores JFET tienen muchas aplicaciones en electrónica y comunicación. Se pueden utilizar como un interruptor controlado electrónicamente para controlar la energía eléctrica para una carga y como amplificadores.¿Cuál es la diferencia entre un JFET y BJT (transistor de unión bipolar)? La diferencia principal entre un JFET y un BJT es que un transistor de efecto de campo de carga (JFET) ofrece solo flujos de portadores de carga mayoritarios, mientras que el transistor bipolar (BJT) ofrece flujos de portadores de carga mayoritarios y minoritarios.¿Qué es el dopaje de semiconductores? El dopaje es el proceso de incluir impurezas extrañas en semiconductores intrínsecos para cambiar sus propiedades eléctricas. Los átomos trivalentes empleados para dopar el silicio provocan que un semiconductor intrínseco se convierta en un semiconductor de tipo P. Los átomos pentavalentes empleados para dopar el silicio provocan que un semiconductor intrínseco se convierta en un semiconductor de tipo N."

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Descrição Preço Tipo de Canal Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss Tensión Máxima Drenador-Fuente Tensión Máxima Puerta-Fuente Tensión Máxima Puerta-Drenador Configuración Configuración de transistor Resistencia Máxima Drenador-Fuente Tipo de Montaje Tipo de Encapsulado Conteo de Pines Capacidad Drenador-Fuente Capacidad Fuente-Puerta Dimensiones
Código RS 112-4185
Referência do fabricantePMBF4393,215
FabricanteNXP
0,31 €
unitário
unidades
N 50 → 150mA 40 V -40 V 40V Único Simple 100 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 124-1385
Referência do fabricanteJ112
FabricanteON Semiconductor
0,097 €
unitário (Em bolsa de 1000)
unidades
N min. 5mA - -35 V 35V Único Simple 50 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 28pF 28pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Código RS 124-2284
Referência do fabricanteBF861C,215
FabricanteNXP
0,313 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N 12 → 25mA 25 V -25 V, +25 V 25V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 749-8268
Referência do fabricanteDSK5J01R0L
FabricantePanasonic
0,044 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 20)
unidades
N 5 → 12mA - - -55V Único Simple - Montaje superficial SMini3 F2 B 3 - - 2 x 1.25 x 0.8mm
Código RS 792-5167
Referência do fabricante2SK3557-7-TB-E
FabricanteON Semiconductor
0,283 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 20)
unidades
N 16 → 32mA 15 V - -15V Único Simple - Montaje superficial CP 3 10pF 2.9pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 163-2023
Referência do fabricante2SK932-22-TB-E
FabricanteON Semiconductor
0,142 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N 7.3 → 12mA 15 V - -15V Único Simple - Montaje superficial CP 3 10pF 3pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 169-7867
Referência do fabricanteDSK5J01P0L
FabricantePanasonic
0,043 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N 1 → 3mA - - -55V Único Simple - Montaje superficial SMini3 F2 B 3 - - 2 x 1.25 x 0.8mm
Código RS 162-9314
Referência do fabricanteCPH6904-TL-E
FabricanteON Semiconductor
0,218 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N 20 → 40mA 25 V - -25V Doble Fuente común - Montaje superficial CPH 6 6pF 2.3pF 2.9 x 1.6 x 0.9mm
Código RS 163-2021
Referência do fabricante2SK3557-7-TB-E
FabricanteON Semiconductor
0,114 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N 16 → 32mA 15 V - -15V Único Simple - Montaje superficial CP 3 10pF 2.9pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 738-7607
Referência do fabricante2N4392CSM
FabricanteSemelab
65,91 €
unitário
unidades
N 25 → 75mA 40 V +40 V 40V Único Simple 60 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 3.05 x 2.54 x 1.02mm
Código RS 166-3094
Referência do fabricanteMMBFJ176
FabricanteON Semiconductor
0,104 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
P -2 → -25mA 15 V +30 V -30V Único Simple 250 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 112-5510
Referência do fabricantePMBFJ177,215
FabricanteNXP
0,308 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
unidades
P 1.5 → 20mA 30 V +30 V 30V Único Simple 300 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 177-5508
Referência do fabricante2N4392CSM
FabricanteSemelab
59,922 €
unitário (Em tabuleiro de 100)
unidades
N 25 → 75mA 40 V +40 V 40V Único Simple 60 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 3.05 x 2.54 x 1.02mm
Código RS 920-9928
Referência do fabricanteTF414T5G
FabricanteON Semiconductor
0,212 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 50)
unidades
N 0.05 → 0.13mA 40 V - -40V Único Simple - Montaje superficial SOT-883 3 0.7pF 0.3pF 1.07 x 0.67 x 0.41mm
Código RS 145-4162
Referência do fabricante2SK3666-3-TB-E
FabricanteON Semiconductor
0,064 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N 1.2 → 3mA 30 V - -30V Único Simple 200 Ω Montaje superficial CP 3 4pF 1.1pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 166-0537
Referência do fabricanteBF556A,215
FabricanteNXP
0,225 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N 3 → 7mA 30 V -30 V -30V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 122-0136
Referência do fabricanteMMBFJ310LT3G
FabricanteON Semiconductor
0,089 €
unitário (Fornecido em carretes de 10000)
unidades
N 24 → 60mA 25 V - - Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - 5pF 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 163-0037
Referência do fabricanteMMBFJ175LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,096 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
P -7 → -60mA 15 V - -25V Único Simple 125 Ω Montaje superficial SOT-23 3 11 pF @ 0 V 11 pF @ -10 V 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 163-0963
Referência do fabricanteMMBFJ177LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,096 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
P 1.5 → 20mA - - 25V dc Único Simple 300 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - 11pF 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 166-2910
Referência do fabricanteJ111
FabricanteON Semiconductor
0,061 €
unitário (Em bolsa de 10000)
unidades
N min. 20mA - -35 V 35V Único Simple 30 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 28pF 28pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm