JFET, MMBFJ177LT1G, P-Canal, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 773-7816
- Referência do fabricante:
- MMBFJ177LT1G
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,182 € | 1,82 € |
| 100 - 240 | 0,089 € | 0,89 € |
| 250 - 490 | 0,085 € | 0,85 € |
| 500 - 990 | 0,079 € | 0,79 € |
| 1000 + | 0,076 € | 0,76 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 773-7816
- Referência do fabricante:
- MMBFJ177LT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de Canal | P | |
| Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss | 1.5 to 20mA | |
| Tensión Máxima Puerta-Drenador | 25V dc | |
| Configuración | Único | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 300 Ω | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Capacidad Fuente-Puerta | 11pF | |
| Dimensiones | 3.04 x 1.4 x 1.01mm | |
| Ancho | 1.4mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Altura | 1.01mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de Canal P | ||
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss 1.5 to 20mA | ||
Tensión Máxima Puerta-Drenador 25V dc | ||
Configuración Único | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 300 Ω | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Encapsulado SOT-23 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Capacidad Fuente-Puerta 11pF | ||
Dimensiones 3.04 x 1.4 x 1.01mm | ||
Ancho 1.4mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Altura 1.01mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Longitud 3.04mm | ||
JFET de canal P, ON Semiconductor
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)
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