SRAM Infineon, 128 MB, 200 MHZ, Bola FBGA-24
- Código RS:
- 273-5438
- Referência do fabricante:
- S70KL1282GABHV020
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-5438
- Referência do fabricante:
- S70KL1282GABHV020
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 128MB | |
| Tipo de producto | SRAM | |
| Número de bits por palabra | 16 | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 35ns | |
| Frecuencia del reloj máxima | 200MHZ | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.8V | |
| Tipo de temporización | DDR | |
| Tensión de alimentación máxima | 3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Encapsulado | Bola FBGA-24 | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 105°C | |
| Serie | HYPERRAM | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 128MB | ||
Tipo de producto SRAM | ||
Número de bits por palabra 16 | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 35ns | ||
Frecuencia del reloj máxima 200MHZ | ||
Tensión de alimentación mínima 1.8V | ||
Tipo de temporización DDR | ||
Tensión de alimentación máxima 3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Encapsulado Bola FBGA-24 | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 105°C | ||
Serie HYPERRAM | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
La DRAM de Infineon es una DRAM de refrescación automática CMOS de alta velocidad, con interfaz HYPERBUSTM. La matriz de DRAM utiliza celdas dinámicas que requieren una actualización periódica. La lógica de control de actualización dentro del dispositivo gestiona las operaciones de actualización en la matriz DRAM cuando la memoria no se está leyendo o escribiendo activamente por el maestro de interfaz HYPERBUSTM. Puesto que el host no es necesario para gestionar ninguna operación de actualización, la matriz de DRAM aparece al host como si la memoria usara celdas estáticas que retienen los datos sin actualización. Por lo tanto, la memoria se describe con mayor precisión como RAM pseudoestática.
Interfaz HYPERBUSTM
Velocidad de reloj máxima de 200 MHz
Características de estallido configurables
Caudal de datos de hasta 400 MBps
Estroboscopio de datos de lectura y escritura bidireccional
Estroboscopio de lectura de alineación central DDR opcional
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