Alliance Memory SDRAM AS4C32M16D1A-5TCN, 64 MB, Montaje superficial, TSOP II 16 bit, 66 pines
- Código RS:
- 842-634
- Referência do fabricante:
- AS4C32M16D1A-5TCN
- Fabricante:
- Alliance Memory
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- Código RS:
- 842-634
- Referência do fabricante:
- AS4C32M16D1A-5TCN
- Fabricante:
- Alliance Memory
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tamaño de la memoria | 64MB | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Organización | 32M x 16 bits | |
| Ancho del bus de datos | 16bit | |
| Número de bits por palabra | 16 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 200MHZ | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 0.7ns | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Encapsulado | TSOP II | |
| Número de pines | 66 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 0°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 70°C | |
| Serie | AS4C32M16D1A | |
| Longitud | 22.22mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.3V | |
| Tensión de alimentación máxima | 2.7V | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tamaño de la memoria 64MB | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Organización 32M x 16 bits | ||
Ancho del bus de datos 16bit | ||
Número de bits por palabra 16 | ||
Frecuencia del reloj máxima 200MHZ | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 0.7ns | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Encapsulado TSOP II | ||
Número de pines 66 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 0°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 70°C | ||
Serie AS4C32M16D1A | ||
Longitud 22.22mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión de alimentación mínima 2.3V | ||
Tensión de alimentación máxima 2.7V | ||
- COO (País de Origem):
- TW
La DRAM síncrona DDR de Alliance Memory proporciona un acceso rápido a los datos y un funcionamiento eficiente de la memoria en diversos sistemas electrónicos.
La velocidad de reloj rápida de 200 MHz mejora la velocidad de memoria
Admite ambas entradas de reloj diferencial para una transferencia de datos estable
La arquitectura de memoria incluye cuatro bancos internos para aumentar la eficiencia
Ofrece opciones de latencia CAS programables para optimizar el tiempo de lectura
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