Alliance Memory SDRAM AS4C16M32MD1B-5BIN, 64 MB, Montaje superficial, FPBGA 32 bit, 90 pines
- Código RS:
- 842-628
- Referência do fabricante:
- AS4C16M32MD1B-5BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
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- Código RS:
- 842-628
- Referência do fabricante:
- AS4C16M32MD1B-5BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Tamaño de la memoria | 64MB | |
| Organización | 16M x 32 bits | |
| Ancho del bus de datos | 32bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 200MHZ | |
| Número de bits por palabra | 32 | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 5ns | |
| Número de palabras | 4 word | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Encapsulado | FPBGA | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de pines | 90 | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Serie | AS4C16M32MD1B | |
| Longitud | 8mm | |
| Tensión de alimentación máxima | 1.95V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.7V | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Tamaño de la memoria 64MB | ||
Organización 16M x 32 bits | ||
Ancho del bus de datos 32bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 200MHZ | ||
Número de bits por palabra 32 | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 5ns | ||
Número de palabras 4 word | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Encapsulado FPBGA | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de pines 90 | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Serie AS4C16M32MD1B | ||
Longitud 8mm | ||
Tensión de alimentación máxima 1.95V | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión de alimentación mínima 1.7V | ||
El módulo DDR SDRAM de alto rendimiento de Alliance Memory está diseñado para el procesamiento dinámico de datos en aplicaciones móviles. Este módulo mejora la eficiencia de la memoria al tiempo que garantiza un bajo consumo de potencia durante el funcionamiento, lo que lo convierte en ideal para entornos exigentes.
Funcionamiento de baja potencia con un rango de tensión de 1,70-1,95 V para eficiencia energética
Admite arquitectura de doble velocidad de datos, lo que permite dos transferencias de datos por ciclo de reloj
El TCSR automático y las capacidades de autorefrescamiento compensado por temperatura garantizan un rendimiento estable
Cuatro bancos internos facilitan operaciones simultáneas para mejorar la velocidad