Intelligent Memory AEC-Q100 SDRAM IM4G08D3FDBG-107, 4 GB, Superficie, Bola FBGA-78 16 bit, 78 pines
- Código RS:
- 588-644
- Referência do fabricante:
- IM4G08D3FDBG-107
- Fabricante:
- Intelligent Memory
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- Código RS:
- 588-644
- Referência do fabricante:
- IM4G08D3FDBG-107
- Fabricante:
- Intelligent Memory
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Intelligent Memory | |
| Tamaño de la memoria | 4GB | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Organización | 64M x 8 | |
| Ancho del bus de datos | 16bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 1066MHz | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 1.25ns | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | Bola FBGA-78 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de pines | 78 | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 95°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 7.5 mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Tensión de alimentación máxima | 1.45V | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.283V | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
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|---|---|---|
Marca Intelligent Memory | ||
Tamaño de la memoria 4GB | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Organización 64M x 8 | ||
Ancho del bus de datos 16bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 1066MHz | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 1.25ns | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado Bola FBGA-78 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de pines 78 | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 95°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 7.5 mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Tensión de alimentación máxima 1.45V | ||
Tensión de alimentación mínima 1.283V | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
- COO (País de Origem):
- TW
La memoria inteligente DRAM de doble velocidad de transmisión de datos (DDR) ofrece una mayor densidad de módulos, velocidades de transmisión de datos más rápidas y menores requisitos de voltaje en comparación con los dispositivos DDR3. También admite el enmascaramiento de datos por byte en los comandos de escritura, lo que mejora la gestión de datos y la fiabilidad.
Longitud de ráfaga y latencia CAS programables
Actualización automática y autorrenovación
Nivelación de escritura
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