Intelligent Memory AEC-Q100 SDRAM IME5116SDBETG-75I, 512 MB, Superficie, FBGA 16 bit, 54 pines
- Código RS:
- 588-603
- Referência do fabricante:
- IME5116SDBETG-75I
- Fabricante:
- Intelligent Memory
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- 588-603
- Referência do fabricante:
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- Intelligent Memory
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Intelligent Memory | |
| Tamaño de la memoria | 512MB | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Ancho del bus de datos | 16bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 533MHZ | |
| Número de bits por palabra | 72 | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 7.5ns | |
| Número de palabras | 16777216 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | FBGA | |
| Número de pines | 54 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Longitud | 12.5mm | |
| Serie | IME1G(08/16)D2DEB | |
| Anchura | 8mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, RoHS | |
| Altura | 8mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Tensión de alimentación máxima | 1.9V | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.7V | |
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|---|---|---|
Marca Intelligent Memory | ||
Tamaño de la memoria 512MB | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Ancho del bus de datos 16bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 533MHZ | ||
Número de bits por palabra 72 | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 7.5ns | ||
Número de palabras 16777216 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado FBGA | ||
Número de pines 54 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Longitud 12.5mm | ||
Serie IME1G(08/16)D2DEB | ||
Anchura 8mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, RoHS | ||
Altura 8mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Tensión de alimentación máxima 1.9V | ||
Tensión de alimentación mínima 1.7V | ||
- COO (País de Origem):
- TW
El componente SDRAM de memoria inteligente está diseñado para aplicaciones industriales, comerciales y de automoción, ofreciendo un rendimiento fiable incluso en sistemas heredados. Se trata de DRAM totalmente síncronas que funcionan a 3,3 V, y están disponibles en densidades de 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb y 512 Mb, con soporte para encapsulados TSOP-II y FBGA.
Actualización automática y autorrenovación
Corrección de errores ECC integrada
Tasas de transferencia de datos de alta velocidad de hasta 200 MHz