MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 8.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 122-0202
- Referência do fabricante:
- DMC3021LSD-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 122-0202
- Referência do fabricante:
- DMC3021LSD-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 53mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.7V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | |
| Altura | 1.5mm | |
| Anchura | 3.95mm | |
| Longitud | 4.95mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 53mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.7V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | ||
Altura 1.5mm | ||
Anchura 3.95mm | ||
Longitud 4.95mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
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