MOSFET STMicroelectronics STN1HNK60, VDSS 600 V, ID 400 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 920-6591
Referência do fabricante:: STN1HNK60
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STN1HNK60, VDSS 600 V, ID 400 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 920-6591
Referência do fabricante:: STN1HNK60
Fabricante:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	400 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	8,5 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.25V
Disipación de Potencia Máxima	3,3 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	3.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	7 nC a 10 V
Longitud	6.5mm
Material del transistor	Si
Altura	1.8mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics STN1HNK60, VDSS 600 V, ID 400 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

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MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics