MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 4 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 233-3091
- Referência do fabricante:
- STN3NF06
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 233-3091
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | STN3N | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.3W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Anchura | 7 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie STN3N | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.3W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.5mm | ||
Anchura 7 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia STMicroelectronics es el último desarrollo del proceso basado en tiras de tamaño de característica única de STMicroelectronics. El transistor resultante muestra una densidad de encapsulado extremadamente alta para baja resistencia de conexión, características de avalancha resistente y pasos de alineación menos críticos, por lo que una reproducibilidad de fabricación notable.
Excepcional capacidad dv/dt
Tecnología resistente a avalancha
100 % a prueba de avalancha
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