MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 200 V, ID 115 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- Código RS:
- 920-0735
- Referência do fabricante:
- IXFN140N20P
- Fabricante:
- IXYS
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 tubo de 10 unidades)*
272,32 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 13 de outubro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 10 + | 27,232 € | 272,32 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 920-0735
- Referência do fabricante:
- IXFN140N20P
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 115A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Encapsulado | SOT-227 | |
| Tipo de montaje | Panel | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 240nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 680W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 25.42 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 9.6mm | |
| Longitud | 38.23mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 115A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Encapsulado SOT-227 | ||
Tipo de montaje Panel | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 240nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 680W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 25.42 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 9.6mm | ||
Longitud 38.23mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN140N20P, VDSS 200 V, ID 115 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 300 V, ID 115 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN140N30P, VDSS 300 V, ID 115 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 500 V, ID 66 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 600 V, ID 40 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 300 V, ID 192 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 600 V, ID 90 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 600 V, ID 66 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines