MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4817
- Referência do fabricante:
- IRF640NPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
27,90 €
Adicione 200 unidades para obter entrega gratuita
Em stock
- 50 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 8400 unidade(s) para enviar a partir do dia 11 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,558 € | 27,90 € |
| 100 - 200 | 0,441 € | 22,05 € |
| 250 - 450 | 0,413 € | 20,65 € |
| 500 - 1200 | 0,385 € | 19,25 € |
| 1250 + | 0,357 € | 17,85 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 919-4817
- Referência do fabricante:
- IRF640NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 150mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 67nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.69 mm | |
| Altura | 8.77mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 67nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.69 mm | ||
Altura 8.77mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 18 A, disipación de potencia máxima de 150 W - IRF640NPBF
Este MOSFET está destinado a aplicaciones de conmutación de alta eficiencia, proporcionando una solución fiable para diversos sistemas electrónicos. Su configuración de canal N garantiza una resistencia a la conexión mínima y una alta fiabilidad, por lo que es adecuado para la gestión de la alimentación en entornos industriales y comerciales. Este componente está diseñado específicamente para usuarios de los sectores de la automatización y la electricidad, garantizando un rendimiento óptimo en sus aplicaciones.
Características y ventajas
• Corriente de drenaje continua de hasta 18 A para un manejo robusto de la potencia
• Funciona eficazmente a niveles de tensión de hasta 200 V para una mayor versatilidad
• La baja resistencia a la conexión minimiza la pérdida de energía durante el funcionamiento
• Los requisitos simplificados del accionamiento facilitan la integración en los circuitos
• Totalmente clasificado para avalanchas para mejorar la seguridad y el rendimiento
Aplicaciones
• Utilizado en circuitos de alimentación para automatización industrial
• Adecuado para el control de motores en robótica
• Ideal para sistemas de energía renovable como inversores solares
• Empleado en sistemas de conmutación de potencia para equipos eléctricos
• Utilizado en etapas de amplificación para equipos de audio
¿Cómo afecta la temperatura al rendimiento?
El dispositivo funciona eficazmente entre -55 °C y +175 °C, lo que permite su uso en diversos entornos térmicos sin comprometer el rendimiento.
¿Qué importancia tiene la tensión máxima puerta-fuente?
El MOSFET admite niveles de tensión puerta-fuente de ±20 V, lo que garantiza un funcionamiento seguro y evita daños durante las operaciones de conmutación.
¿Puede este componente soportar picos de tensión repentinos?
Sí, está totalmente clasificado para avalanchas, lo que le permite soportar breves picos de tensión, lo que mejora su rendimiento en aplicaciones exigentes.
¿Cuál es el impacto de la on-resistencia en la eficiencia global?
La baja resistencia a la conexión reduce considerablemente la disipación de potencia durante el funcionamiento, mejorando así la eficiencia energética en aplicaciones de gestión de potencia.
¿Es adecuado para aplicaciones de montaje en superficie?
El encapsulado TO-220AB está diseñado específicamente para el montaje a través de orificios, lo que garantiza una disipación eficaz del calor en lugar del montaje en superficie.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF640NPBF, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon IPAN60R180P7SXKSA1, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFB4020PBF, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAW60R180P7SXKSA1, VDSS 650 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines