MOSFET, N-Canal Infineon IRFB4020PBF, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

11,51 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 - 452,302 €11,51 €
50 - 1202,072 €10,36 €
125 - 2451,932 €9,66 €
250 - 4951,798 €8,99 €
500 +1,68 €8,40 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
688-6939
Número do artigo Distrelec:
304-43-452
Referência do fabricante:
IRFB4020PBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

100mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

100W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

9.02mm

Anchura

4.82mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.66mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 200 V, corriente de drenaje continua máxima de 18 A - IRFB4020PBF


Este MOSFET es un transistor de conmutación de potencia diseñado para aplicaciones de alta tensión y alta corriente donde se requiere una resistencia térmica robusta. Funciona como dispositivo de mejora de canal N en un encapsulado TO-220 de orificio pasante, lo que proporciona una solución práctica para etapas de potencia discretas y circuitos de conmutación montados en placa en un amplio rango de temperaturas.

Características y ventajas:


• El valor nominal de drenaje de 200 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 18 A admite corrientes de carga sustanciales
• La disipación de potencia de 100 W permite un manejo de potencia elevado
• La Rds(on) de 100 mΩ minimiza las pérdidas por conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 18 nC proporciona transiciones de conmutación más rápidas
• La tensión directa de 1,3 V reduce la caída de conducción del diodo durante la recuperación

Aplicaciones


• Adecuado para etapas de medio puente de accionamiento por motor
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado fuera de línea
• Se utiliza con convertidores de potencia que requieren montaje en orificio pasante
• Se puede utilizar para controladores de relé y solenoide de alta tensión
• Adecuado para prototipos de laboratorio y experimentos de alimentación de banco

¿Qué límites de tensión de puerta deben observar los diseñadores para un funcionamiento seguro?


La tensión de fuente de puerta no debe superar ±20 V para evitar dañar el óxido de puerta y mantener un comportamiento de conmutación fiable.

¿Cómo se comporta el dispositivo en temperaturas extremas?


Está diseñado para funcionar a temperaturas de –55 a 175 °C, lo que permite su uso en entornos con una amplia variación térmica al tiempo que mantiene las características eléctricas especificadas.

¿Qué consideraciones sobre el encapsulado afectan a la disposición y la refrigeración de la placa de circuito impreso?


El factor de forma de orificio pasante TO-220 proporciona una sola lengüeta de montaje aislada y permite la fijación directa a un disipador o chasis para mejorar la gestión térmica.

¿Cómo influye el diodo de cuerpo en la elección de la topología de conmutación?


El diodo intrínseco con una caída hacia delante de 1,3 V debe tenerse en cuenta en diseños con eventos de recuperación inversa para gestionar la disipación y determinar los requisitos de amortiguación.

Links relacionados