MOSFET Infineon IRF5801TRPBF, VDSS 200 V, ID 600 mA, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple

Código RS:: 919-4725
Referência do fabricante:: IRF5801TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF5801TRPBF, VDSS 200 V, ID 600 mA, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple

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Código RS:: 919-4725
Referência do fabricante:: IRF5801TRPBF
Fabricante:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	600 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Tipo de Encapsulado	TSOP-6
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2,2 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	2 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Longitud	3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	3,9 nC a 10 V
Ancho	1.5mm
Altura	0.9mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IRF5801TRPBF, VDSS 200 V, ID 600 mA, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon