MOSFET, N-Canal Infineon IRLTS6342TRPBF, VDSS 30 V, ID 8.3 A, Mejora, TSOP-6
- Código RS:
- 257-9467
- Número do artigo Distrelec:
- 304-40-555
- Referência do fabricante:
- IRLTS6342TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*
10,88 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- 4625 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 0,435 € | 10,88 € |
| 250 - 600 | 0,414 € | 10,35 € |
| 625 - 1225 | 0,404 € | 10,10 € |
| 1250 - 2475 | 0,378 € | 9,45 € |
| 2500 + | 0,24 € | 6,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 257-9467
- Número do artigo Distrelec:
- 304-40-555
- Referência do fabricante:
- IRLTS6342TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TSOP-6 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 17.50mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TSOP-6 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17.50mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 8,3 A - IRLTS6342TRPBF
Características y ventajas:
• 30 V Vds permite la conmutación de tensión moderada
• La corriente de drenaje continua de 8,3 A admite cargas de alta corriente
• La disipación de potencia de 2 W gestiona el estrés térmico en configuraciones restringidas
• La carga de puerta típica de 11 nC permite una conducción de puerta eficiente
Aplicaciones
• Ideal para la gestión de energía en controles industriales
• Se utiliza con controladores de puerta que requieren un manejo de carga moderado
• Se puede utilizar para conmutación dc en instrumentación
• Apto para prototipos mediante placas de orificio pasante
¿Qué rango de tensión de puerta se puede aplicar de manera segura?
¿Qué temperaturas puede tolerar durante el funcionamiento?
¿Cómo afecta su tensión directa a la eficiencia?
¿Está diseñado para aplicaciones de automoción?
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 8.3 A, TSOP-6
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS -40 V, ID -3.4 A, TSOP-6 de 6 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 0.9 A, TSOP-6 de 6 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 8.2 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IRFTS8342TRPBF, VDSS 30 V, ID 8.2 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IRF5802TRPBF, VDSS 150 V, ID 0.9 A, TSOP-6 de 6 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IRF5803TRPBF, VDSS -40 V, ID -3.4 A, TSOP-6 de 6 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 7.5 A, Mejora, TSOP-6 de 6 pines
