MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRLML2244TRPBF, VDSS 20 V, ID 4.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 760-4438
Número do artigo Distrelec:: 304-45-314
Referência do fabricante:: IRLML2244TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRLML2244TRPBF, VDSS 20 V, ID 4.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:: 760-4438
Número do artigo Distrelec:: 304-45-314
Referência do fabricante:: IRLML2244TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	SOT-23
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	95mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	6.9nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	1.3W
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	1.02mm
	Longitud	3.04mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado SOT-23
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 95mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.9nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 1.3W
	Tensión directa Vf -1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 1.02mm
	Longitud 3.04mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 4,3 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V - IRLML2244TRPBF

Este MOSFET está diseñado para un rendimiento robusto en un encapsulado compacto SOT-23. Con una corriente de drenaje continua máxima de 4,3 A y una tensión de drenaje-fuente de 20 V, es adecuado para diversas aplicaciones en los sectores de la automatización, la electrónica y la electricidad. El dispositivo funciona en modo de mejora y ofrece un rendimiento fiable en entornos de altas temperaturas, manteniendo la funcionalidad a temperaturas de hasta +150 °C.

Características y ventajas

• El bajo RDS(on) de 54mΩ minimiza las pérdidas por conmutación

• Compatible con la distribución de patillas estándar del sector para facilitar la integración

• Alta fiabilidad con una disipación de potencia máxima de 1,3 W

• Estrecha gama de temperaturas para una eficiencia operativa óptima

• La reducción de la carga de puerta aumenta la eficiencia global

Aplicaciones

• Ideal para conmutación de baja tensión en electrónica

• Adecuado para la gestión de potencia en convertidores CC-CC

• Utilizado en sistemas de control de motores para equipos de automatización

• Se utiliza en circuitos de alimentación para mejorar la gestión de la energía

¿Cuál es el significado de la baja RDS(on) en este componente?

El bajo RDS(on) reduce significativamente las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, lo que mejora la eficiencia y el rendimiento, especialmente en aplicaciones de conmutación.

¿Cómo beneficia el rango de temperatura de funcionamiento al diseño de circuitos?

Un rango de temperaturas de funcionamiento de -55°C a +150°C permite una gran versatilidad en las aplicaciones, permitiendo que el MOSFET funcione de forma fiable en diversos entornos operativos, desde el frío extremo al calor elevado.

¿Qué hace que este dispositivo sea adecuado para la tecnología de montaje en superficie?

El diseño compacto del encapsulado SOT-23 y el pinout compatible facilitan la integración en los diseños de PCB, mejorando la eficiencia de fabricación y permitiendo la producción en masa.

¿Puede utilizarse este MOSFET en aplicaciones de automoción?

Sí, debido a su alta resistencia térmica y fiabilidad a temperaturas elevadas, es adecuado para aplicaciones de automoción en las que la disipación del calor es crítica.