MOSFET Vishay SI4840BDY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 10 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 710-4736
Referência do fabricante:: SI4840BDY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI4840BDY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 10 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

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Código RS:: 710-4736
Referência do fabricante:: SI4840BDY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	9 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	1560 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	18,5 nC a 5 V
Material del transistor	Si
Longitud	5mm
Ancho	4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.55mm

MOSFET Vishay SI4840BDY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 10 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor