MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD80R1K0CEATMA1, VDSS 800 V, ID 5.7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 914-0223
Referência do fabricante:: IPD80R1K0CEATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD80R1K0CEATMA1, VDSS 800 V, ID 5.7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:: 914-0223
Referência do fabricante:: IPD80R1K0CEATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	5.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	800V
	Encapsulado	TO-252
	Serie	CoolMOS CE
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	950mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	83W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	31nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	6.22 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	6.73mm
	Altura	2.41mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 5.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V
	Encapsulado TO-252
	Serie CoolMOS CE
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 950mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 83W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 6.22 mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 6.73mm
	Altura 2.41mm
	Estándar de automoción No

Estado RoHS: Não aplicável

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie CE, corriente de drenaje continua máxima de 5,7 A, disipación de potencia máxima de 83 W - IPD80R1K0CEATMA1

Este MOSFET ofrece soluciones para la gestión de potencia y la electrónica general, aprovechando la avanzada tecnología CoolMOS CE con capacidades de alta tensión de hasta 800 V. Presenta una alta eficiencia y una baja resistencia en estado encendido, lo que optimiza el diseño al tiempo que mejora la fiabilidad.

Características y ventajas

• La mayor densidad de potencia permite diseñar sistemas más compactos

• La reducción de las necesidades de refrigeración supone un ahorro de costes para los sistemas

• Las bajas temperaturas de funcionamiento aumentan la fiabilidad del sistema

• Alta capacidad de corriente de pico para aplicaciones exigentes

• El fiable valor nominal dv/dt garantiza la estabilidad en caso de cambios rápidos de tensión

• Cumple la normativa RoHS para un uso respetuoso con el medio ambiente

Aplicaciones

• Se utiliza en soluciones de iluminación LED para instalaciones de reequipamiento

• Adecuado para la topología flyback QR en fuentes de alimentación

• Eficaz en sistemas de distribución de energía para automóviles

• Ideal para diversas aplicaciones industriales de alta tensión

¿Cómo mejora el MOSFET el rendimiento del sistema en la gestión de la energía?

Mejora la densidad de potencia y reduce los requisitos térmicos, lo que se traduce en una mayor eficiencia y menores pérdidas de energía durante el funcionamiento.

¿Cuáles son las ventajas de utilizar este dispositivo en aplicaciones de iluminación LED?

Ofrece un rendimiento fiable con una menor generación de calor, lo que contribuye a la longevidad y estabilidad de los sistemas de iluminación.

¿Es compatible con aplicaciones de alta frecuencia?

Sí, su baja carga de puerta y su elevada capacidad de corriente de pico lo hacen apto para operaciones de alta frecuencia, garantizando unas pérdidas de conmutación mínimas.

¿Cuál es la corriente de drenaje continua máxima de este dispositivo?

La corriente de drenaje continua máxima es de 5,7 A, lo que la hace adecuada para diversas aplicaciones de alto consumo.

¿A qué temperatura puede funcionar?

Funciona eficazmente entre -55 °C y +150 °C, ofreciendo versatilidad en distintos entornos.