MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD80R1K0CEATMA1, VDSS 800 V, ID 5.7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 914-0223
- Referência do fabricante:
- IPD80R1K0CEATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 914-0223
- Referência do fabricante:
- IPD80R1K0CEATMA1
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 950mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.41mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 950mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.41mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: Não aplicável
MOSFET Infineon CoolMOS™ serie CE, corriente de drenaje continua máxima de 5,7 A, disipación de potencia máxima de 83 W - IPD80R1K0CEATMA1
Este MOSFET ofrece soluciones para la gestión de potencia y la electrónica general, aprovechando la avanzada tecnología CoolMOS CE con capacidades de alta tensión de hasta 800 V. Presenta una alta eficiencia y una baja resistencia en estado encendido, lo que optimiza el diseño al tiempo que mejora la fiabilidad.
Características y ventajas
• La mayor densidad de potencia permite diseñar sistemas más compactos
• La reducción de las necesidades de refrigeración supone un ahorro de costes para los sistemas
• Las bajas temperaturas de funcionamiento aumentan la fiabilidad del sistema
• Alta capacidad de corriente de pico para aplicaciones exigentes
• El fiable valor nominal dv/dt garantiza la estabilidad en caso de cambios rápidos de tensión
• Cumple la normativa RoHS para un uso respetuoso con el medio ambiente
Aplicaciones
• Se utiliza en soluciones de iluminación LED para instalaciones de reequipamiento
• Adecuado para la topología flyback QR en fuentes de alimentación
• Eficaz en sistemas de distribución de energía para automóviles
• Ideal para diversas aplicaciones industriales de alta tensión
¿Cómo mejora el MOSFET el rendimiento del sistema en la gestión de la energía?
Mejora la densidad de potencia y reduce los requisitos térmicos, lo que se traduce en una mayor eficiencia y menores pérdidas de energía durante el funcionamiento.
¿Cuáles son las ventajas de utilizar este dispositivo en aplicaciones de iluminación LED?
Ofrece un rendimiento fiable con una menor generación de calor, lo que contribuye a la longevidad y estabilidad de los sistemas de iluminación.
¿Es compatible con aplicaciones de alta frecuencia?
Sí, su baja carga de puerta y su elevada capacidad de corriente de pico lo hacen apto para operaciones de alta frecuencia, garantizando unas pérdidas de conmutación mínimas.
¿Cuál es la corriente de drenaje continua máxima de este dispositivo?
La corriente de drenaje continua máxima es de 5,7 A, lo que la hace adecuada para diversas aplicaciones de alto consumo.
¿A qué temperatura puede funcionar?
Funciona eficazmente entre -55 °C y +150 °C, ofreciendo versatilidad en distintos entornos.
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