MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLR2705TRPBF, VDSS 55 V, ID 28 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 830-3348
- Referência do fabricante:
- IRLR2705TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 830-3348
- Referência do fabricante:
- IRLR2705TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 28A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.39mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 28A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.39mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 28 A, disipación de potencia máxima de 68 W - IRLR2705TRPBF
Este MOSFET está diseñado para ofrecer un rendimiento excepcional en una amplia gama de aplicaciones electrónicas. Aprovechando los modernos avances de la tecnología MOSFET, desempeña un papel importante en aplicaciones de conmutación en las que la eficiencia y la fiabilidad son esenciales. Sus características distintivas lo convierten en una excelente opción para sistemas eléctricos y de automatización que requieren un manejo de corrientes elevadas y un funcionamiento robusto.
Características y ventajas
• La alta corriente de drenaje continua de 28 A mejora el rendimiento
• La tensión nominal máxima de 55 V aumenta la capacidad de conmutación
• La baja resistencia a la conexión de 65mΩ minimiza la pérdida de energía
• Funciona eficazmente a temperaturas de hasta +175°C
• Diseñado para montaje en superficie en un encapsulado DPAK TO-252 para mayor eficacia
• La configuración en modo de mejora única facilita el diseño de circuitos
Aplicaciones
• Adecuado para la gestión de la energía en la automatización industrial
• Ideal para la conmutación energéticamente eficiente en fuentes de alimentación
• Utilizados habitualmente en circuitos de control de motores
• Adecuado para su uso en convertidores CC-CC
¿Cuál es la potencia máxima disipada por este componente?
La potencia máxima disipada es de 68 W, lo que permite una gestión eficaz del calor durante el funcionamiento.
¿Cómo afecta el rango de temperatura de funcionamiento al uso?
El dispositivo funciona eficazmente entre -55 °C y +175 °C, por lo que es apto para diversas condiciones ambientales.
¿Existe algún método de instalación específico recomendado para este MOSFET?
El dispositivo está diseñado para montaje en superficie mediante técnicas como la soldadura para garantizar conexiones fiables.
¿Se puede utilizar este MOSFET en paralelo con otros?
Sí, puede utilizarse en configuraciones paralelas, pero es esencial una gestión térmica adecuada para evitar el sobrecalentamiento.
¿Qué tipo de accionamiento de compuerta se recomienda para un rendimiento óptimo?
Se recomienda un accionamiento de puerta de nivel lógico para una conmutación eficiente, garantizando que el dispositivo funcione dentro de sus niveles de umbral especificados.
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