MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRLML9301TRPBF, VDSS 30 V, ID 3.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 725-9366
Número do artigo Distrelec:: 304-45-320
Referência do fabricante:: IRLML9301TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRLML9301TRPBF, VDSS 30 V, ID 3.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:: 725-9366
Número do artigo Distrelec:: 304-45-320
Referência do fabricante:: IRLML9301TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	3.6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	SOT-23
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	64mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	1.3W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	4.8nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	3.04mm
	Altura	1.02mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	1.4 mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 3.6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie HEXFET
	Encapsulado SOT-23
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 64mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 1.3W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.8nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf -1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 3.04mm
	Altura 1.02mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 1.4 mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 3,6 A - IRLML9301TRPBF

Este semiconductor MOSFET está diseñado para la gestión eficiente de la energía en diversas aplicaciones electrónicas. Presenta un diseño de montaje en superficie (SOT-23) para facilitar su integración en circuitos electrónicos compactos. El componente funciona eficazmente con una corriente de drenaje continua máxima de 3,6 A y puede manejar una tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V.

Características y ventajas

• La configuración del modo de mejora permite un funcionamiento eficaz

• El alto umbral de tensión de puerta aumenta la fiabilidad

• Mayor resistencia térmica

• Optimizado para valores nominales de corriente de drenaje de tracción, lo que aumenta la fiabilidad del rendimiento

Aplicaciones

• Se utiliza para la gestión de la energía en aparatos portátiles

• Ideal para sistemas de control de automatización

• Utilizado en amplificadores de audio y procesadores de señal

• Adecuado para convertidores CC-CC en sistemas de energías renovables

• Ideal para accionar motores en robots

¿Cuál es el impacto del bajo valor de la resistencia a la conexión en el rendimiento?

La baja resistencia a la conexión de 64mΩ permite reducir la generación de calor durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia general y prolongando la vida útil de los componentes en aplicaciones de alta corriente.

¿Cómo beneficia el modo de mejora al diseño de circuitos?

El modo de mejora permite al MOSFET permanecer apagado hasta que se alcanza una tensión de puerta específica, lo que proporciona un control de conmutación fiable adecuado para diversos diseños electrónicos sin pérdidas de potencia innecesarias.

¿Puede este componente soportar altas temperaturas?

Sí, está diseñado para funcionar de forma fiable a temperaturas de hasta +150 °C, lo que lo hace adecuado para aplicaciones expuestas a entornos difíciles o a un uso intensivo.