MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 20.7 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 911-4830
- Referência do fabricante:
- SPW20N60C3FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 tubo de 30 unidades)*
72,72 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 10 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,424 € | 72,72 € |
| 60 - 120 | 2,303 € | 69,09 € |
| 150 + | 2,206 € | 66,18 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 911-4830
- Referência do fabricante:
- SPW20N60C3FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 190mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 208W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 87nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Altura | 20.95mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 208W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 87nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.9mm | ||
Altura 20.95mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Infineon CoolMOS™ serie C3, corriente de drenaje continua máxima de 21 A, disipación de potencia máxima de 208 W - SPW20N60C3FKSA1
Este MOSFET es vital para numerosas aplicaciones electrónicas, diseñado para mejorar la eficiencia en diversas tareas. Funciona bien en entornos de alta potencia y sirve a los sectores de la automatización, la electricidad y la mecánica. Con especificaciones duraderas, garantiza un rendimiento estable a la vez que gestiona cargas de potencia sustanciales y optimiza el uso de la energía.
Características y ventajas
• La configuración de canal N mejora la capacidad de conducción
• La corriente de drenaje continua máxima de 21 A admite aplicaciones intensivas
• La alta tensión nominal de 650 V proporciona fiabilidad en condiciones difíciles
• La baja carga de puerta facilita la conmutación eficiente, reduciendo las pérdidas de energía
• Su excelente rendimiento térmico permite el funcionamiento a temperaturas elevadas
• Diseñado para montaje pasante, lo que simplifica los procedimientos de montaje
Aplicaciones
• Regulación y gestión del suministro eléctrico en sistemas industriales
• Sistemas de control de motores para un suministro eficiente de energía
• Utilizado en convertidores CC-CC para alta tensión
• Integración en sistemas de energías renovables para una conversión energética eficaz
• Se emplea en electrónica de potencia para mejorar el rendimiento de los dispositivos
¿Cuál es la temperatura máxima de funcionamiento de este componente?
Funciona eficientemente a una temperatura máxima de +150°C, adecuada para entornos de alta temperatura sin comprometer el rendimiento.
¿Cómo beneficia la baja carga de puerta al funcionamiento del dispositivo?
Una carga de puerta baja permite velocidades de conmutación más rápidas, reduciendo significativamente las pérdidas de conmutación y mejorando la eficiencia global durante el funcionamiento.
¿Puede este MOSFET soportar ciclos repetidos de alta temperatura?
Sí, está diseñado para mantener sus características eléctricas a lo largo de numerosos ciclos térmicos, lo que garantiza su longevidad en entornos de temperatura variable.
¿Existe un estilo de montaje específico recomendado para este dispositivo?
Este dispositivo está pensado para el montaje a través de orificios, lo que facilita el montaje de placas de circuito impreso y proporciona conexiones mecánicas estables.
¿Qué precauciones de seguridad deben tomarse durante la instalación?
Asegúrese de que la tensión puerta-fuente no supere los límites especificados (-20 V a +20 V) para evitar daños en el dispositivo, y siga las precauciones estándar de ESD para evitar daños por electricidad estática.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon SPW20N60C3FKSA1, VDSS 650 V, ID 20.7 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET Infineon, VDSS 650 V, ID 20.7 A, TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon SPP20N60C3XKSA1, VDSS 650 V, ID 20.7 A, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 20 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 25 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 26 A, Mejora, TO-247 de 3 pines