MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 660 mA, Reducción, SOT-223 de 4 pines

Código RS:: 911-4808
Referência do fabricante:: BSP149H6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 660 mA, Reducción, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:: 911-4808
Referência do fabricante:: BSP149H6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	660mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	200V
	Encapsulado	SOT-223
	Serie	SIPMOS
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1.8Ω
	Modo de canal	Reducción
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	11nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	1.8W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	6.5mm
	Anchura	3.5 mm
	Altura	1.6mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	AEC-Q101

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	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 660mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V
	Encapsulado SOT-223
	Serie SIPMOS
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.8Ω
	Modo de canal Reducción
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 1.8W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 6.5mm
	Anchura 3.5 mm
	Altura 1.6mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción AEC-Q101

COO (País de Origem):: MY

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 660 mA, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP149H6327XTSA1

Este MOSFET es un componente esencial diseñado para una amplia gama de aplicaciones electrónicas, que ofrece un rendimiento eficiente dentro de un encapsulado compacto de montaje superficial. Resulta muy adecuado para controlar circuitos de automatización y es pertinente para usuarios de los sectores electrónico, eléctrico y mecánico. La característica del modo de agotamiento mejora el control para aplicaciones de conmutación, lo que lo convierte en una opción adecuada para los ingenieros.

Características y ventajas

• Tensión de drenaje-fuente máxima de 200 V para aplicaciones de alta tensión

• Capacidad de corriente de drenaje continua de hasta 660 mA

• Utiliza la tecnología SIPMOS para un rendimiento constante

• Cumple la directiva RoHS con revestimiento de plomo sin Pb

• dv/dt para una mayor resistencia a las variaciones de tensión

Aplicaciones

• Driver en sistemas de automatización

• Fuentes de alimentación conmutadas para la gestión de la energía

• Electrónica de automoción conforme a las normas AEC-Q101

¿Qué importancia tiene la característica del modo de agotamiento?

El modo de agotamiento permite un control eficaz del MOSFET, lo que posibilita una conmutación efectiva incluso a tensiones más bajas, beneficiosa en diversos diseños electrónicos.

¿Cómo gestiona el dispositivo los retos térmicos?

Funciona en un amplio intervalo de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que garantiza un rendimiento fiable incluso en condiciones térmicas extremas, gracias a su eficaz capacidad de gestión térmica.

¿Cuáles son los valores de tensión de umbral de puerta de este componente?

La tensión de umbral de puerta oscila entre -2,1 V y -1 V, lo que proporciona opciones de conmutación versátiles para los distintos requisitos de los circuitos.

¿Qué implicaciones tiene la clasificación de clase ESD?

La clasificación ESD Class 1B indica un diseño capaz de soportar niveles de descarga electrostática de entre 500 V y 600 V, lo que mejora la fiabilidad del dispositivo en aplicaciones sensibles.