MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSP297H6327XTSA1, VDSS 200 V, ID 660 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines

Código RS:: 826-9272
Número do artigo Distrelec:: 304-44-414
Referência do fabricante:: BSP297H6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSP297H6327XTSA1, VDSS 200 V, ID 660 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 50 unidades)*

30,55 €

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €

Em stock

200 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição

Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)	Por unidade	Por Embalagem*
50 - 50	0,611 €	30,55 €
100 - 200	0,403 €	20,15 €
250 - 450	0,379 €	18,95 €
500 - 1200	0,354 €	17,70 €
1250 +	0,33 €	16,50 €

*preço indicativo

Código RS:: 826-9272
Número do artigo Distrelec:: 304-44-414
Referência do fabricante:: BSP297H6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	660mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	200V
	Encapsulado	SOT-223
	Serie	SIPMOS
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1.8Ω
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	12.9nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	0.84V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	1.8W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	6.5mm
	Anchura	3.5 mm
	Altura	1.6mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 660mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V
	Encapsulado SOT-223
	Serie SIPMOS
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.8Ω
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.9nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf 0.84V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 1.8W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 6.5mm
	Anchura 3.5 mm
	Altura 1.6mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 660 mA, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP297H6327XTSA1

Este MOSFET está diseñado para ofrecer un rendimiento de conmutación eficiente en diversas aplicaciones electrónicas. Con una corriente de drenaje continua máxima de 660 mA y una tensión de ruptura de 200 V, es adecuado para su uso en diversos entornos. Su diseño de montaje en superficie simplifica la integración en sistemas automatizados, por lo que es aplicable tanto en el sector electrónico como en el de la automoción.

Características y ventajas

• La configuración de canal N mejora la eficiencia de conmutación

• La baja tensión de umbral de puerta garantiza la compatibilidad con los niveles lógicos

• Las altas tensiones nominales se adaptan a una amplia gama de aplicaciones

• La mayor capacidad de disipación de energía favorece una gestión térmica eficaz

• La cualificación AEC-Q101 cumple las normas de la industria automovilística

• El encapsulado compacto SOT-223 permite diseños que ocupan poco espacio

Aplicaciones

• Utilizado para el control de motores en sistemas de automoción

• Aplicado a la gestión de la energía en la electrónica de consumo

• Se utiliza en sistemas de gestión de baterías para regular la energía

• Se emplea en la amplificación de señales en dispositivos de comunicación

• Ideal para fuentes de alimentación conmutadas que mejoran la eficiencia

¿Cuál es la temperatura máxima de funcionamiento para un rendimiento óptimo?

El componente puede funcionar eficazmente a temperaturas de hasta +150 °C, lo que garantiza su estabilidad en condiciones de alta temperatura.

¿Cómo debe instalarse el MOSFET para obtener los mejores resultados?

Utiliza la tecnología de montaje en superficie para la instalación en una placa de circuito impreso compatible, garantizando una soldadura correcta para mantener la integridad de la conexión.

¿De qué tipo de materiales está hecho este MOSFET?

Está fabricado con silicio (Si), lo que contribuye a su rendimiento y fiabilidad en diversos usos.

¿Puede soportar condiciones de tensión severas durante el funcionamiento?

Sí, tiene una tensión máxima de ruptura drenaje-fuente de 200 V, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alto voltaje.

¿Cómo afecta la carga de la puerta a su rendimiento?

La carga de puerta total típica es de 12,9nC a 10V, lo que garantiza tiempos de conmutación rápidos y una mayor eficiencia del circuito.