MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSP297H6327XTSA1, VDSS 200 V, ID 660 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines

RS Stock No.:: 826-9272
Distrelec Article No.:: 304-44-414
Mfr. Part No.:: BSP297H6327XTSA1
Brand:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSP297H6327XTSA1, VDSS 200 V, ID 660 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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RS Stock No.:: 826-9272
Distrelec Article No.:: 304-44-414
Mfr. Part No.:: BSP297H6327XTSA1
Brand:: Infineon

Specifications

Technical Reference

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Product Details

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Select all	Attribute	Value
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	660mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	200V
	Encapsulado	SOT-223
	Serie	SIPMOS
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1.8Ω
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	1.8W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	12.9nC
	Tensión directa Vf	0.84V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	3.5 mm
	Altura	1.6mm
	Longitud	6.5mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Select all
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 660mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V
	Encapsulado SOT-223
	Serie SIPMOS
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.8Ω
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 1.8W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.9nC
	Tensión directa Vf 0.84V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 3.5 mm
	Altura 1.6mm
	Longitud 6.5mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 660 mA, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP297H6327XTSA1

Este MOSFET está diseñado para ofrecer un rendimiento de conmutación eficiente en diversas aplicaciones electrónicas. Con una corriente de drenaje continua máxima de 660 mA y una tensión de ruptura de 200 V, es adecuado para su uso en diversos entornos. Su diseño de montaje en superficie simplifica la integración en sistemas automatizados, por lo que es aplicable tanto en el sector electrónico como en el de la automoción.

Características y ventajas

• La configuración de canal N mejora la eficiencia de conmutación

• La baja tensión de umbral de puerta garantiza la compatibilidad con los niveles lógicos

• Las altas tensiones nominales se adaptan a una amplia gama de aplicaciones

• La mayor capacidad de disipación de energía favorece una gestión térmica eficaz

• La cualificación AEC-Q101 cumple las normas de la industria automovilística

• El encapsulado compacto SOT-223 permite diseños que ocupan poco espacio

Aplicaciones

• Utilizado para el control de motores en sistemas de automoción

• Aplicado a la gestión de la energía en la electrónica de consumo

• Se utiliza en sistemas de gestión de baterías para regular la energía

• Se emplea en la amplificación de señales en dispositivos de comunicación

• Ideal para fuentes de alimentación conmutadas que mejoran la eficiencia

¿Cuál es la temperatura máxima de funcionamiento para un rendimiento óptimo?

El componente puede funcionar eficazmente a temperaturas de hasta +150 °C, lo que garantiza su estabilidad en condiciones de alta temperatura.

¿Cómo debe instalarse el MOSFET para obtener los mejores resultados?

Utiliza la tecnología de montaje en superficie para la instalación en una placa de circuito impreso compatible, garantizando una soldadura correcta para mantener la integridad de la conexión.

¿De qué tipo de materiales está hecho este MOSFET?

Está fabricado con silicio (Si), lo que contribuye a su rendimiento y fiabilidad en diversos usos.

¿Puede soportar condiciones de tensión severas durante el funcionamiento?

Sí, tiene una tensión máxima de ruptura drenaje-fuente de 200 V, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alto voltaje.

¿Cómo afecta la carga de la puerta a su rendimiento?

La carga de puerta total típica es de 12,9nC a 10V, lo que garantiza tiempos de conmutación rápidos y una mayor eficiencia del circuito.