MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSP129H6906XTSA1, VDSS 40 V, ID 0.12 A, Reducción, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
250-0530
Referência do fabricante:
BSP129H6906XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SOT-223

Serie

BSP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Reducción

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 280 mA, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP129H6906XTSA1


Este transistor de pequeña señal es una solución eficaz para dispositivos que requieren alta tensión y capacidad de montaje en superficie. Como MOSFET de canal N en modo de agotamiento, permite un funcionamiento eficaz en diversas aplicaciones electrónicas. Con una tensión de drenaje-fuente máxima de 240 V y una capacidad de corriente de drenaje continua de 280 mA, este producto es idóneo para aplicaciones de automatización y automoción, lo que lo convierte en una opción fiable para gestionar la alimentación en diferentes circuitos electrónicos.

Características y ventajas


• La configuración de canal N permite operaciones de conmutación eficientes

• La funcionalidad del modo de agotamiento garantiza un rendimiento de corriente constante

• Las altas tensiones nominales proporcionan versatilidad en las aplicaciones

• El bajo voltaje de umbral de puerta mejora la compatibilidad del sistema

• El diseño de montaje en superficie permite realizar instalaciones que ocupan poco espacio

• Certificación AEC-Q101, apto para uso en automoción

Aplicaciones


• Adecuado para sistemas de control de automoción

• Puede utilizarse en circuitos de gestión de potencia

• Electrónica de consumo para mejorar la eficiencia

¿Cómo puede garantizarse una instalación adecuada para un rendimiento óptimo?


Instale el MOSFET en la placa de circuito impreso siguiendo las directrices de montaje especificadas, asegurando una correcta gestión térmica para una disipación eficaz del calor.

¿Qué hay que tener en cuenta para la gestión térmica durante el funcionamiento?


Hay que vigilar la resistencia térmica, ya que la temperatura de funcionamiento oscila entre -55 °C y +150 °C, lo que exige un diseño adecuado de la placa de circuito impreso para facilitar una conducción eficaz del calor.

¿Qué tipo de accionamiento se recomienda para este producto?


Una tensión de puerta dentro del rango especificado de ±20 V es esencial para unas características de conmutación óptimas, garantizando un funcionamiento fiable en todas las aplicaciones.

¿Puede utilizarse este MOSFET en aplicaciones de conmutación de alta velocidad?


Sí, está diseñado para funcionar eficazmente en escenarios de conmutación de alta velocidad, gracias a los tiempos de retardo de conexión y desconexión especificados.

¿Qué hay que tener en cuenta en relación con las características de carga de la puerta?


La carga total de la puerta a 5 V es de aproximadamente 3,8 nC, lo que optimiza la eficiencia energética durante la conmutación sin imponer una carga excesiva a los circuitos de accionamiento.

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