MOSFET Infineon IPB200N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 50 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 911-0834
Referência do fabricante:: IPB200N15N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB200N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 50 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 911-0834
Referência do fabricante:: IPB200N15N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET N-ch 150V 50A OptiMOS3 TO263
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	150 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	20 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	150 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	10.31mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	23 nC a 10 V
Ancho	9.45mm
Altura	4.57mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IPB200N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 50 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior