MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB072N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 752-8340
- Referência do fabricante:
- IPB072N15N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 unidade)*
3,35 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 3706 unidade(s) a partir do dia 15 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 3,35 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 752-8340
- Referência do fabricante:
- IPB072N15N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 9.45 mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Longitud | 10.31mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 9.45 mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Longitud 10.31mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 50 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 33 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 13 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 130 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 105 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 195 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB200N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 50 A, Mejora, TO-263 de 3 pines