MOSFET Infineon IPB065N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 130 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple

Código RS:: 906-4283
Referência do fabricante:: IPB065N15N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB065N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 130 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple

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Código RS:: 906-4283
Referência do fabricante:: IPB065N15N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

IPB065N15N3G OptiMOS 3 Power Transistor
Efficient Semiconductor Solutions for Motor Control and Drives
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	130 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	150 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK-7
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	6,8 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Disipación de Potencia Máxima	300 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	4.57mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	70 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	10.31mm
Altura	9.45mm
Tensión de diodo directa	1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IPB065N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 130 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior