Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHB28N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 28 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código RS:: 903-4504
Referência do fabricante:: SiHB28N60EF-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHB28N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 28 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:: 903-4504
Referência do fabricante:: SiHB28N60EF-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	28A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	600V
	Encapsulado	TO-263
	Serie	EF
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	123mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	80nC
	Tensión directa Vf	1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	250W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	10.67mm
	Anchura	9.65 mm
	Altura	4.83mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 28A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V
	Encapsulado TO-263
	Serie EF
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 123mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC
	Tensión directa Vf 1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 250W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 10.67mm
	Anchura 9.65 mm
	Altura 4.83mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: CN

MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor

Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa

Bajo factor de mérito (FOM)

Baja capacitancia de entrada (Ciss)

Mayor solidez por la baja carga de recuperación inversa

Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHB28N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 28 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor

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