MOSFET, N-Canal Vishay SIHB22N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 19 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
188-4976
Número do artigo Distrelec:
304-38-846
Referência do fabricante:
SIHB22N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

19A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-263

Serie

SiHB22N60EF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

182mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

48nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.57mm

Anchura

9.65mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.41mm

Estándar de automoción

No

Modelo DE ALIMENTACIÓN DE LA SERIE EF con diodo de cuerpo rápido.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia de entrada (Ciss)

Menores pérdidas por conmutación y conducción

APLICACIONES

Fuentes de alimentación de servidores y equipos de telecomunicaciones

Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)

Fuentes de alimentación con corrección de factor de potencia (PFC)

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