Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB30N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código RS:: 768-9310
Referência do fabricante:: SIHB30N60E-GE3
Fabricante:: Vishay

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Código RS:: 768-9310
Referência do fabricante:: SIHB30N60E-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	29A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	600V
	Serie	E
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	125mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	85nC
	Tensión directa Vf	1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd	250W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	9.65 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.67mm
	Altura	4.83mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 29A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V
	Serie E
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 85nC
	Tensión directa Vf 1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd 250W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 9.65 mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.67mm
	Altura 4.83mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor

Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

Características

Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG

Baja capacitancia de entrada (Ciss)

Nivel bajo en resistencia (RDS(on))

Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

Conmutación rápida

Menores pérdidas por conmutación y conducción

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB30N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor

Características

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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