MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP111N15N3GXKSA1, VDSS 150 V, ID 83 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 897-7412
Referência do fabricante:: IPP111N15N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP111N15N3GXKSA1, VDSS 150 V, ID 83 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:: 897-7412
Referência do fabricante:: IPP111N15N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	83A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	150V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	OptiMOS 3
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	11.3mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	41nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	214W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	1V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	4.57 mm
	Longitud	10.36mm
	Altura	15.95mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 83A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V
	Encapsulado TO-220
	Serie OptiMOS 3
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11.3mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 214W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf 1V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 4.57 mm
	Longitud 10.36mm
	Altura 15.95mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 83 A, disipación de potencia máxima de 214 W - IPP111N15N3GXKSA1

Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia, mejorando significativamente la eficiencia y el rendimiento del sistema en diversas industrias, incluyendo la automatización y la electrónica. Sus características, incluida una elevada corriente de drenaje continua y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento, lo hacen adaptable a diversos entornos.

Características y ventajas

• Diseño de canal N para una conmutación eficaz

• Baja resistencia a la conexión que reduce la pérdida de potencia

• Gran capacidad de disipación de energía para un funcionamiento constante

• Maneja eficazmente corrientes continuas y pulsadas

• Diseño de montaje con orificios pasantes para facilitar la instalación

Aplicaciones

• Ideal para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación

• Aplicable en conmutación de alta frecuencia para mejorar la eficiencia

• Adecuado para sistemas de automoción y automatización industrial

• Utilizados en sistemas de conversión de energía como convertidores e inversores

• Empleado en gestión de energía para tecnologías de energías renovables

¿Puede utilizarse en sistemas de automatización industrial?

Sí, es adecuado para sistemas automatizados debido a su eficacia y rendimiento fiable.

¿Cuáles son las ventajas de utilizar este componente en las fuentes de alimentación?

Presenta una baja resistencia a la conexión y una alta corriente de drenaje, lo que minimiza las pérdidas de potencia y mejora la gestión térmica en los diseños de fuentes de alimentación.

¿Cómo se comporta a temperaturas extremas?

Este componente funciona con fiabilidad en un rango de temperaturas de -55 °C a +175 °C, lo que lo hace adecuado para condiciones duras.

¿Es compatible con los diseños existentes en mi aplicación?

Sí, su tipo de encapsulado TO-220 y su estilo de montaje con orificios pasantes son compatibles con muchos diseños de circuitos establecidos.

¿Qué debo tener en cuenta para una correcta instalación?

Garantice una gestión térmica adecuada y un espacio suficiente para la disipación del calor a fin de mantener un rendimiento óptimo durante el funcionamiento.