MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPDD60R080G7XTMA1, VDSS 650 V, ID 83 A, Mejora, HDSOP de 10 pines
- Código RS:
- 220-7418
- Referência do fabricante:
- IPDD60R080G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 220-7418
- Referência do fabricante:
- IPDD60R080G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 83A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | HDSOP | |
| Serie | C7 GOLD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 10 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 174W | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Anchura | 2.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Altura | 21.11mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 83A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado HDSOP | ||
Serie C7 GOLD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 10 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 174W | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Anchura 2.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.6mm | ||
Altura 21.11mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Las tecnologías Infineon introducen el doble DPAK (DDPAK), el primer encapsulado de dispositivo de montaje en superficie (SMD) refrigerado por el lado superior para aplicaciones SMPS de alta potencia como alimentación de PC, solar, servidor y telecomunicaciones. Las ventajas del MOSFET G7 Cool MOS 600V Super Junction (SJ) de tecnología de alta tensión ya existente se combinan con el innovador concepto de refrigeración de lado superior, lo que proporciona una solución de sistema para topologías de conmutación dura de alta corriente como PFC y una solución de eficiencia de gama alta para topologías LLC.
Proporciona el mejor FOM RDS(on) x Eoss y RDS(on) x QG de su clase
Innovador concepto de refrigeración de la parte superior
Configuración de fuente Kelvin de contacto 4th integrada y fuente parásita baja inductancia
Capacidad TCOB de >> 2.000 ciclos, Conformidad con MSL1 y sin plomo total
Mayor eficiencia energética
El desacoplamiento térmico de la placa y el semiconductor permite superar la temperatura Límites de PCB
La inductancia de fuente parásita reducida mejora la eficiencia y facilidad de uso de la e.
Permite soluciones de mayor densidad de potencia
Superar los más altos estándares de calidad
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