MOSFET, N-Canal Infineon BSS205NH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 2.5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 892-2374
- Referência do fabricante:
- BSS205NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (100 unidades, em pack de 100)*
22,20 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 5200 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 0,222 € | 22,20 € |
| 500 - 900 | 0,211 € | 21,10 € |
| 1000 - 2400 | 0,166 € | 16,60 € |
| 2500 - 4900 | 0,115 € | 11,50 € |
| 5000 + | 0,10 € | 10,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 892-2374
- Referência do fabricante:
- BSS205NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 85mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -12, +12V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 0.1mm | |
| Altura | 1.3mm | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 85mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -12, +12V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 0.1mm | ||
Altura 1.3mm | ||
Longitud 2.9mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 2, corriente de drenaje continua máxima de 2,5 A, disipación de potencia máxima de 500 mW - BSS205NH6327XTSA1
Este MOSFET de canal N es un componente vital en las aplicaciones electrónicas contemporáneas, especialmente en los sectores de la automatización y la automoción. Diseñado para aplicaciones de conmutación eficientes, presenta un encapsulado compacto de montaje superficial SOT-23. Su capacidad para manejar corrientes y tensiones de drenaje significativas lo hace adecuado para contextos industriales y de automoción, garantizando un rendimiento constante.
Características y ventajas
• Corriente de drenaje continua máxima de 2,5 A
• Tensión de drenaje-fuente máxima de 20 V
• La Rds(on) mínima de 85 mΩ mejora la eficiencia energética
• Certificación AEC-Q101 para aplicaciones de automoción
Aplicaciones
• Utilizado en sistemas de gestión de la energía para automóviles
• Adecuado para convertidores CC-CC de dispositivos electrónicos
• Empleado en el control motor para una conmutación eficaz
• Ideal para amplificación de potencia en RF
¿Qué tipo de protección ofrece contra los picos de tensión?
Está clasificado para avalanchas y puede soportar pulsos de alta energía, proporcionando protección en entornos dinámicos.
¿Cuál es el significado de la baja Rds(on) en este dispositivo?
Una baja resistencia en estado encendido mejora la gestión de la pérdida de potencia y aumenta la eficiencia, por lo que es adecuado para aplicaciones de alta eficiencia.
¿Cómo se puede instalar esto en una placa de circuito?
Se puede soldar a una placa de circuito impreso en el encapsulado SOT-23, lo que garantiza un montaje seguro para aplicaciones de tecnología de montaje en superficie.
¿Cuáles son las características típicas de conmutación a la tensión nominal?
El dispositivo presenta tiempos de encendido y apagado rápidos, lo que mejora la eficiencia de conmutación en aplicaciones de alta velocidad.
¿Es compatible con otros componentes de los circuitos de automoción?
Sí, cumple las normas de automoción y funciona eficazmente con diversos dispositivos en circuitos de gestión de potencia.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 2.5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 0.18 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 0.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 0.23 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 5.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 4.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 2.7 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines