MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 913-4073
Referência do fabricante:: IRLML6344TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:: 913-4073
Referência do fabricante:: IRLML6344TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	SOT-23
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	37mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	6.8nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	12 V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	1.3W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	3.04mm
	Anchura	1.4 mm
	Altura	1.02mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado SOT-23
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 37mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.8nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 1.3W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 3.04mm
	Anchura 1.4 mm
	Altura 1.02mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: PH

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 5A, tensión de fuente de drenaje máxima de 30V - IRLML6344TRPBF

Este MOSFET es un dispositivo de montaje superficial de canal N de alto rendimiento adecuado para diversas aplicaciones en los sectores de la electrónica y la automatización. Diseñado con un encapsulado compacto SOT-23, mide 3,04 mm de longitud, 1,4 mm de anchura y 1,02 mm de altura. Presenta un excelente rendimiento térmico, con un rango de temperaturas de funcionamiento de -55°C a +150°C.

Características y ventajas

• Ofrece una corriente de drenaje continua de 5 A para un rendimiento robusto

• La tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V admite varios requisitos

• El bajo RDS(on) de 29mΩ a VGS = 4,5V reduce las pérdidas de potencia

• El amplio rango de tensión umbral de puerta permite un funcionamiento flexible

• La eficiente capacidad de disipación de potencia de 1,3 W aumenta la fiabilidad

Aplicaciones

• Ideal para la conmutación de cargas de microcontroladores en sistemas electrónicos

• Utilizado en soluciones de gestión de la energía para automoción

• Eficaz en convertidores CC-CC para una conversión eficiente de la energía

• Adecuado para sistemas de gestión de baterías para mejorar el rendimiento

• Eficaz en circuitos de control de motores para tareas de automatización

¿Qué importancia tiene el bajo valor de RDS(on)?

El bajo valor RDS(on) indica menores pérdidas de conducción, lo que se traduce en una mayor eficiencia, especialmente en aplicaciones de alta corriente. Esta característica es esencial para reducir la generación de calor en la electrónica de potencia.

¿Qué rango de tensión puede aplicarse a la unión puerta-fuente?

La tensión máxima de la fuente de puerta es de ±12 V, lo que permite flexibilidad en las condiciones de conducción al tiempo que garantiza la integridad del dispositivo dentro de los límites nominales.

¿Cómo se comporta el aparato a altas temperaturas?

Con una temperatura máxima de funcionamiento de +150 °C, el MOSFET está diseñado para soportar entornos difíciles, garantizando un funcionamiento fiable en aplicaciones exigentes.

¿Qué ventajas ofrece el diseño de montaje en superficie?

El diseño de montaje en superficie SOT-23 permite diseños de circuitos compactos y mejora la gestión térmica, por lo que resulta ideal para los conjuntos electrónicos modernos.