MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 913-4073
- Referência do fabricante:
- IRLML6344TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 913-4073
- Referência do fabricante:
- IRLML6344TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 37mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.3W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.02mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 37mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.3W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.04mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.02mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 5A, tensión de fuente de drenaje máxima de 30V - IRLML6344TRPBF
Este MOSFET es un dispositivo de montaje superficial de canal N de alto rendimiento adecuado para diversas aplicaciones en los sectores de la electrónica y la automatización. Diseñado con un encapsulado compacto SOT-23, mide 3,04 mm de longitud, 1,4 mm de anchura y 1,02 mm de altura. Presenta un excelente rendimiento térmico, con un rango de temperaturas de funcionamiento de -55°C a +150°C.
Características y ventajas
• Ofrece una corriente de drenaje continua de 5 A para un rendimiento robusto
• La tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V admite varios requisitos
• El bajo RDS(on) de 29mΩ a VGS = 4,5V reduce las pérdidas de potencia
• El amplio rango de tensión umbral de puerta permite un funcionamiento flexible
• La eficiente capacidad de disipación de potencia de 1,3 W aumenta la fiabilidad
Aplicaciones
• Ideal para la conmutación de cargas de microcontroladores en sistemas electrónicos
• Utilizado en soluciones de gestión de la energía para automoción
• Eficaz en convertidores CC-CC para una conversión eficiente de la energía
• Adecuado para sistemas de gestión de baterías para mejorar el rendimiento
• Eficaz en circuitos de control de motores para tareas de automatización
¿Qué importancia tiene el bajo valor de RDS(on)?
El bajo valor RDS(on) indica menores pérdidas de conducción, lo que se traduce en una mayor eficiencia, especialmente en aplicaciones de alta corriente. Esta característica es esencial para reducir la generación de calor en la electrónica de potencia.
¿Qué rango de tensión puede aplicarse a la unión puerta-fuente?
La tensión máxima de la fuente de puerta es de ±12 V, lo que permite flexibilidad en las condiciones de conducción al tiempo que garantiza la integridad del dispositivo dentro de los límites nominales.
¿Cómo se comporta el aparato a altas temperaturas?
Con una temperatura máxima de funcionamiento de +150 °C, el MOSFET está diseñado para soportar entornos difíciles, garantizando un funcionamiento fiable en aplicaciones exigentes.
¿Qué ventajas ofrece el diseño de montaje en superficie?
El diseño de montaje en superficie SOT-23 permite diseños de circuitos compactos y mejora la gestión térmica, por lo que resulta ideal para los conjuntos electrónicos modernos.
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