MOSFET, Tipo N-Canal IXYS MMIX1T550N055T2, VDSS 55 V, ID 550 A, Mejora, SMPD de 24 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

46,56 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informação de stock atualmente indisponível
Unidad(es)
Por unidade
1 - 146,56 €
2 - 445,62 €
5 - 944,23 €
10 - 1443,76 €
15 +43,30 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
875-2500
Referência do fabricante:
MMIX1T550N055T2
Fabricante:
IXYS
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

IXYS

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

550A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

SMPD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

24

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

830W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

595nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

25.25mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

23.25 mm

Altura

5.7mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie GigaMOS™


Transistores MOSFET, IXYS


Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Links relacionados