MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 55 V, ID 550 A, Mejora, SMPD de 24 pines
- Código RS:
- 168-4794
- Referência do fabricante:
- MMIX1T550N055T2
- Fabricante:
- IXYS
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- Código RS:
- 168-4794
- Referência do fabricante:
- MMIX1T550N055T2
- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 550A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | SMPD | |
| Serie | GigaMOS, HiperFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 24 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 830W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 595nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 23.25 mm | |
| Altura | 5.7mm | |
| Longitud | 25.25mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 550A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado SMPD | ||
Serie GigaMOS, HiperFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 24 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 830W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 595nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 23.25 mm | ||
Altura 5.7mm | ||
Longitud 25.25mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie GigaMOS™
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
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