MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDB024N08BL7, VDSS 80 V, ID 229 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 864-7941
- Referência do fabricante:
- FDB024N08BL7
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
10,08 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 08 de fevereiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,04 € | 10,08 € |
| 20 - 198 | 4,345 € | 8,69 € |
| 200 + | 3,77 € | 7,54 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 864-7941
- Referência do fabricante:
- FDB024N08BL7
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 229A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 137nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 246W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 229A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie PowerTrench | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 137nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 246W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N PowerTrench®, superior a 60 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 229 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDB035AN06A0, VDSS 60 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDB050AN06A0, VDSS 60 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 600 V, ID 11 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 200 V, ID 52 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 250 V, ID 33 A, Mejora, TO-263 de 3 pines