MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN6070SSD-13, VDSS 60 V, ID 4.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.
- Código RS:
- 827-0493
- Referência do fabricante:
- DMN6070SSD-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
4,66 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 60 unidade(s) para enviar a partir do dia 20 de abril de 2026
- Mais 7480 unidade(s) para enviar a partir do dia 27 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 + | 0,233 € | 4,66 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 827-0493
- Referência do fabricante:
- DMN6070SSD-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 100mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Tensión directa Vf | 0.75V | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Altura | 1.5mm | |
| Certificaciones y estándares | J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | |
| Longitud | 4.95mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 100mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Tensión directa Vf 0.75V | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Altura 1.5mm | ||
Certificaciones y estándares J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | ||
Longitud 4.95mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
Links relacionados
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 4.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN6040SSD-13, VDSS 60 V, ID 6.6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P-Canal DMP4025LSD-13, VDSS 40 V, ID 5.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN4031SSD-13, VDSS 40 V, ID 7 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P-Canal DMP3085LSD-13, VDSS 30 V, ID 3.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN2041LSD-13, VDSS 20 V, ID 7.6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN6066SSD-13, VDSS 60 V, ID 4.4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal DMG4800LSD-13, VDSS 30 V, ID 7.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.