MOSFET Infineon BSP324H6327XTSA1, VDSS 400 V, ID 170 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 826-9257
Referência do fabricante:: BSP324H6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSP324H6327XTSA1, VDSS 400 V, ID 170 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 826-9257
Referência do fabricante:: BSP324H6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

BSP324 SIPMOS Power Transistor Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	170 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	400 V
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Serie	SIPMOS®
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	25 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.3V
Disipación de Potencia Máxima	1,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	3.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	4,54 nC a 10 V
Altura	1.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon BSP324H6327XTSA1, VDSS 400 V, ID 170 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon