Referência do fabricante

Transistor de potencia, Tipo P-Canal Infineon IPD50P04P413ATMA1, VDSS 40 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 826-9109
Referência do fabricante:: IPD50P04P413ATMA1
Fabricante:: Infineon

Transistor de potencia, Tipo P-Canal Infineon IPD50P04P413ATMA1, VDSS 40 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:: 826-9109
Referência do fabricante:: IPD50P04P413ATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	Transistor de potencia
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	50A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Serie	OptiMOS P
	Encapsulado	TO-252
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	12.6mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	39nC
	Tensión directa Vf	1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-20V, +20V
	Disipación de potencia máxima Pd	58W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	6.5mm
	Anchura	6.22mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Altura	2.3mm
	Estándar de automoción	AEC-Q

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de producto Transistor de potencia
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 50A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Serie OptiMOS P
	Encapsulado TO-252
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12.6mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC
	Tensión directa Vf 1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V
	Disipación de potencia máxima Pd 58W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 6.5mm
	Anchura 6.22mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Altura 2.3mm
	Estándar de automoción AEC-Q

Estado RoHS: Não aplicável

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora

Avalancha nominal

Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación

Chapado sin plomo; compatible con RoHS

Encapsulados estándar

Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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