Transistor de potencia, Tipo P-Canal Infineon IPD50P04P413ATMA1, VDSS 40 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
826-9109
Referência do fabricante:
IPD50P04P413ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

Transistor de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

OptiMOS P

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

58W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

6.22 mm

Altura

2.3mm

Longitud

6.5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q

Estado RoHS: Não aplicável

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon


Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora

Avalancha nominal

Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación

Chapado sin plomo; compatible con RoHS

Encapsulados estándar

Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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