MOSFET Infineon, N-Canal IRF7380TRPBF, VDSS 80 V, ID 3.6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 826-8904
- Referência do fabricante:
- IRF7380TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
14,30 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- Mais 1760 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,715 € | 14,30 € |
| 100 - 180 | 0,558 € | 11,16 € |
| 200 - 480 | 0,522 € | 10,44 € |
| 500 - 980 | 0,486 € | 9,72 € |
| 1000 + | 0,451 € | 9,02 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 826-8904
- Referência do fabricante:
- IRF7380TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 73mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 73mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 5mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 3,6 A, disipación de potencia máxima de 2 W - IRF7380TRPBF
Características y ventajas
Aplicaciones
¿Qué implicaciones tiene la corriente de drenaje continua máxima?
¿Cómo afecta la baja Rds(on) al rendimiento?
¿Qué importancia tienen sus valores de temperatura?
¿Se puede montar este componente directamente en placas de circuito impreso?
¿Cómo influye la tensión umbral de la puerta en su funcionamiento?
Links relacionados
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 80 V, ID 3.6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 50 V, ID 3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon, Tipo P-Canal, VDSS 55 V, ID 3.4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 4.9 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 2.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 4.9 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon, Tipo P-Canal IRF7104TRPBF, VDSS 20 V, ID 2.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF7103TRPBF, VDSS 50 V, ID 3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
