MOSFET Infineon IPB027N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 825-9235
Referência do fabricante:: IPB027N10N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB027N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Preço unitário (Fornecido em múltiplos de 2)**

4,525 €

Temporariamente fora de stock. O produto será entregue assim que estiver disponível.*

* As datas de entrega podem variar em função da quantidade escolhida e do endereço de entrega.

Entrega GRATUITA para encomendas superiores a 80,00 €

Unidades	Por unidade	Por Pack**
2 +	4,525 €	9,05 €

**preço indicativo

Código RS:: 825-9235
Referência do fabricante:: IPB027N10N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

IPB027N10N3 G, OptiMOS3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	4,5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	300 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Material del transistor	Si
Longitud	10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	155 nC a 10 V
Ancho	9.45mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.57mm

MOSFET Infineon IPB027N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Entrega GRATUITA para encomendas superiores a 80,00 €

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior