MOSFET Infineon IPB100N10S305ATMA1, VDSS 100 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 823-5649
Referência do fabricante:: IPB100N10S305ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB100N10S305ATMA1, VDSS 100 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

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Código RS:: 823-5649
Referência do fabricante:: IPB100N10S305ATMA1
Fabricante:: Infineon

IPB100N10S3-05 OptiMOS®-T Power-Transistor Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Serie	OptiMOS 3
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	4,8 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	300 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	9.25mm
Longitud	10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	135 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Altura	4.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IPB100N10S305ATMA1, VDSS 100 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

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MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior