MOSFET Infineon IRF3805S-7PPBF, VDSS 55 V, ID 240 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, config. Simple
- Código RS:
- 166-1010
- Referência do fabricante:
- IRF3805S-7PPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 166-1010
- Referência do fabricante:
- IRF3805S-7PPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 240 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 7 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 3 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 300 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 130 nC a 10 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Material del transistor | Si | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Altura | 4.55mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 240 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 55 V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de Encapsulado D2PAK (TO-263) | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 7 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 3 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 4V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 2V | ||
Disipación de Potencia Máxima 300 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 130 nC a 10 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Material del transistor Si | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Altura 4.55mm | ||
- COO (País de Origem):
- MX
MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
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