MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal DMG1029SV-7, VDSS 60 V, ID 620 mA, SOT-563, Mejora de 6 pines, 2,
- Código RS:
- 822-2523
- Referência do fabricante:
- DMG1029SV-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (50 unidades, em pack de 50)*
13,80 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- Mais 28.100 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 50 + | 0,276 € | 13,80 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 822-2523
- Referência do fabricante:
- DMG1029SV-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 620mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-563 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.3nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Certificaciones y estándares | J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0 | |
| Anchura | 1.25mm | |
| Longitud | 1.7mm | |
| Altura | 0.6mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 620mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-563 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.3nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Certificaciones y estándares J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0 | ||
Anchura 1.25mm | ||
Longitud 1.7mm | ||
Altura 0.6mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
Links relacionados
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 620 mA, SOT-563, Mejora de 6 pines, 2, config.
- MOSFET DiodesZetex, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 1.03 A, SOT-563, Mejora de 6 pines, 1, config. Doble
- MOSFET DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal DMC2400UV-7, VDSS 20 V, ID 700 mA, SOT-563, Mejora de 6 pines, 2, config.
- MOSFET DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 800 mA, SOT-563, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- MOSFET DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 700 mA, SOT-563, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET DiodesZetex, Tipo P-Canal DMG1023UVQ-7, VDSS 20 V, ID 1.03 A, SOT-563, Mejora de 6 pines, 1, config. Doble
- MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 50 V, SOT-563, Mejora de 6 pines, 2
- MOSFET DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal DMC2710UV-7, VDSS 20 V, ID 800 mA, SOT-563, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble