MOSFET DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 800 mA, SOT-563, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 206-0057
- Referência do fabricante:
- DMC2710UV-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 206-0057
- Referência do fabricante:
- DMC2710UV-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 800mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | DMC2710 | |
| Encapsulado | SOT-563 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.7Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Tensión directa Vf | 0.7V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.8W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 1.55mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 800mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie DMC2710 | ||
Encapsulado SOT-563 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.7Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Tensión directa Vf 0.7V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.8W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 1.55mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET DiodesZetex de modo de mejora de par complementario está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Su tensión de fuente de puerta es de 6 V con disipación de potencia térmica de 0,46 W.
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
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